Single N-Channel Advanced Power MOSFET 30V/55A
30V/55A,RDS (ON) =8mΩ(Typ.)@VGS=10V,RDS (ON) =12mΩ(Typ.)@VGS=4.5V,Limited by TJmax, IAS =8A, L=0.5mH, VDD = 24V, RG = 25Ω , Starting TJ = 25°C. Pulse width≤300µs, duty cycle≤2%.
مقاومت 1 مگا اهم 1/4 وات %1 خطا سایز 1206
مقاومت 4.7 کیلو اهم 1/4 وات %1 خطا سایز 1206
خازن تانتالیوم 10 میکرو فاراد 16 ولت سایز B
ofoqelec.com